场效应管阈值电压测试S系列数字源表

 
 
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发货 湖北武汉江夏区付款后3天内
品牌 普赛斯仪表
通信口 RS-232、GPIB及以太网
测试范围 ±90uV-±300V/±30pA-±3A
测试精度 0.03%
更新 2024-10-31 10:45
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武汉普赛斯仪表有限公司

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产品详细

MOSFET(金属—氧化物半导体场效应晶体管)是  一种利用电场效应来控制其电流大小的常见半导体  器 件,可 以 广 泛 应 用 在 模 拟 电 路 和 数 字 电 路 当 中 。 MOSFET可以由硅制作,也可以由石墨烯,碳纳米管  等材料制作,是材料及器件研究的热点。主要参数有输入/输出特性曲线、阈值电压 VGS(th)、漏电流IGSS、IDSS,击穿电压VDSS、低频互导gm、输出电阻RDS等。场效应管阈值电压测试S系列数字源表认准生产厂家武汉普赛斯仪表,详询一八一四零六六三四七六;


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        受器件结构本身的影响,在实验室科研工作者或者测试工程师常见会碰到以下测试难题:

(1)由于MOSFET是多端口器件,所以需要多个测  量模块协同测试,而且MOSFET动态电流范围大,测试   时需要量程范围广,测量模块的量程需要可以自动切  换; 

(2)栅氧的漏电与栅氧质量关系极大,漏电增加到  一定程度即可构成击穿,导致器件失效,因此MOSFET     的漏电流越小越好,需要高精度的设备进行测试; 

(3)随着MOSFET特征尺寸越来越小,功率越来越   大,自加热效应成为影响其可靠性的重要因素,而脉冲测试可以减少自加热效应,利用脉冲模式进行MOSFET的I-V测试可以准确评估、表征其特性;

(4)MOSFET的电容测试非常重要,且与其在高频应用有密切关系。不同频率下C-V曲线不同,需要进行多频率、多电压下的C-V测试,表征MOSFET的电容特性。


     使用普赛斯S系列高精度数字源表、P系列高精度   台式脉冲源表对MOSFET常见参数进行测试。


输入/输出特性测试

        MOSFET是用栅电压控制源漏电流的器件,在某一固定漏源电压下,可测得一条IDs~VGs关系曲线,对应一组阶梯漏源电压可测得一簇直流输入特性曲线。 MOSFET在某一固定的栅源电压下所得IDS~VDS     关系即为直流输出特性,对应一组阶梯栅源电压可测 得一簇输出特性曲线。 根据应用场景的不同,MOSFET器件的功率规格   也不一致。针对1A以下的MOSFET器件,推荐2台S系 列源表搭建测试方案,Z大电压300V,Z大电流1A,     最小电流100pA,可以满足小功率MOSFET测试的需求。

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        针对Z大电流为1A~10A的MOSFET功率器件,推  荐采用2台P系列脉冲源表搭建测试方案,其Z大电压     300V,Z大电流10A。

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    针对Z大电流为10A~100A的MOSFET功率器件,   推荐采用P系列脉冲源表+HCP搭建测试方案,Z大电流高达100A。

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阈值电压VGS(th) 

     VGS(th)是指栅源电压能使漏极开始有电流的VG   S 值;测试仪表推荐S系列源表。


漏电流测试 

     GSS(栅源漏电流)是指在特定的栅源电压情况下  流过栅极的漏电流;IDSS(零栅压漏极电流)是指在当    VGS=0时,在指定的VDS下的DS之间漏电流,测试时推   荐使用一台普赛斯S系列或P系列源表;


耐压测试

    VDSS(漏源击穿电压):是指在VGS=0的条件下,增  加漏源电压过程中使ID开始剧增时的VDS值;   根据器件的规格不同,其耐压指标也不一致,测试  所需的仪表也不同,击穿电压在300V以下推荐使用S  系列台式源表或P系列脉冲源表,其Z大电压300V,击穿电压在300V以上的器件推荐使用E系列,Z大电压3500V。

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C-V测试 

   C-V测量常用于定期监控集成电路的制造工艺,通  过测量MOS电容高频和低频时的C-V曲线,可以得到   栅氧化层厚度tox、氧化层电荷和界面态密度Dit、平带 电压Vfb、硅衬底中的掺杂浓度等参数。  分别测试Ciss(输入电容)、Coss(输出  电容)以及Crss(反向传输电容)。


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快采购网供应商武汉普赛斯仪表有限公司供应场效应管阈值电压测试S系列数字源表,为您提供详细的产品报价、参数、图片等商品信息,本产品在2024-10-31 10:45更新,主要更新内容为:产品类别,联系方式,产品参数,产品价格,产品图片信息。如需进一步了解场效应管阈值电压测试S系列数字源表,请与厂家直接联系,请在联系时说明是在快采购网网看到这条商机的。
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