主要用途
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。其广泛应用于轨道交通、智能电网、航空航天、电动汽车、新能源装备等领域。
系统概述
针对轨道交通的IGBT模组的静态参数测试需求而研发的智能测试系统，自动化程度高，按照操作人员设定的程序自动工作。进行测试时，有详细的测试记录，包括测试时间、测试环境、测试设备和仪器、测试结果等信息，便于后续分析和检查计算机记录测试结果，并且测试结果可转化为文本或EXCEL格式存储，工作时序、开关的动作状态、数据采集等均由设备配置的计算机和PLC共同完成。
测试方法灵活，可测试单个单元和多单元的模块，系统安全稳定，整体采用轮式机柜集成测试，具有简洁的人机交互界面（计算机）和良好的保护措施，操作简单，移动方便等特点。
系统单元及参数条件
栅极 发射极 | Vges：1-40V 分辨率0.1V Iges：0.01-10uA 分辨率0.001uA Vce：0V |
集电极 发射极 | Vces：100-6500V 分辨率10V Ices：1uA-5000uA 分辨率0.1uA |
栅极发射极阈值电压 | Vge(th)：1-10V 分辨率 0.1V |
集电极/发射极 饱和电压 | Vce(sat)：0.1-10V 分辨率0.01V Ice：10-1000A 分辨率1A |
二极管 压降 | VF：0.1-10V 分辨率0.01V IF：1-1000A 分辨率1A Vge：0V Vces：100V |
二极管反向可恢复直流电压 | Vces：100-6500V 分辨率10V Ices：1uA-5000uA 分辨率0.1uA |
