CV测试仪CV测试机概述
电容-电压(C-V)测量广泛用于测量半导体参数,尤其是MOS CAP和MOSFET结构。MOS(金属-氧化物-半导体)结构的电容是外加电压的函数,MOS电容随外加电压变化的曲线称之为C-V曲线(简称C-V特性),C-V曲线测试可以方便的确定二氧化硅层厚度dox、衬底掺杂浓度N、氧化层中可动电荷面密度Q1、和固定电荷面密度Qfc等参数。详询一八一四零六六三四七六;
系统方案
普赛斯半导体功率器件C-V测试系统主要由源表、LCR 表、矩阵开关和上位机软件组成。LCR表支持的测量频率范围在0.1Hz~1MHz,源表(SMU)负责提供可调直流电压偏置,通过矩阵开关加载在待测件上。
进行C-V 测量时,通常在电容两端施加直流偏压,同时利用一个交流信号进行测量。一般使用的交流信号频率在10KHz 到1MHz 之间。所加载的直流偏压用作直流电压扫描,扫描过程中测试待测器件待测器件的交流电压和电流,从而计算出不同电压下的电容值。
系统优势
频率范围宽:频率范围10Hz~1MHz连续频率点可调;
高精度、大动态范围:提供0V~3500V偏压范围,精度0.1%;
内置CV测试:内置自动化CV测试软件,包含C-V(电容- 电压),C-T(电容- 时间),C-F(电容 - 频率)等多项测试测试功能;
兼容IV测试:同时支持击穿特性以及漏电流特性测试;
实时曲线绘制:软件界面直观展示项目测试数据及曲线,便于监控;
扩展性强:系统采用模块化设计,可根据需求灵活搭配;
基本参数
典型配置
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