利用数字源表测试GaN HEMT直流参数

 
 
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品牌 普赛斯仪表
尺寸 425*255*106mm
重量 5KG
测试范围 0~300V/0~3A
更新 2024-11-22 09:24
手机号:18140663476
 
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武汉普赛斯仪表有限公司

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基于普赛斯S/CS系列源表的直流l-V特性测试系统

  整套测试系统基于普赛斯S/CS系列源表,配合探针台以及专用测试软件,可用于GaN   HEMT、GaAs射频器件直流参数测试,包括阈值电压、电流、输出特性曲线等。

S/CS系列直流源表

  S系列源表是普赛斯历时多年打造的高精度、大动态范围、数字触摸的率先国产化源表,集电压、电流的输入输出及测量等多种功能,Z大电压300V,Z大电流1A,支持四象限工作,支持线性、对数、自定义等多种扫描模式。可用于生产、研发中的GaN、GaAs射频材料以及芯片的直流l-V特性测试。

  CS系列插卡式源表(主机+子卡)是针对多通道测试场景推出的模块化测试产品。普赛斯插卡式源表单台设备Z高可选配10张子卡,具有电压、电流的输入输出及测量等多种功能,Z大电压300V,Z大电流1A,支持四象限工作,具有通道密度高、同步触发功能强、多设备组合效率高等特点。

  对于射频器件的直流特性测试,其栅极电压一般在±10V以内,源、漏端电压在60V以内。此外,由于器件为三端口类型,因此,至少需2台S源表,或者2通道CS子卡。

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输出特性曲线测试

 在栅、源电压VGs一定的情况下,源、漏电流lbs与电压Vos之间的变化曲线,称为输出特性曲线。随着Vos的增加而不断,电流los也不断增加至饱和状态。此外,通过测试不同栅、源电压Vcs值,可以获得一组输出特性曲线。

跨导测试

  跨导gm是表征器件栅极对沟道控制能力强弱的参数,跨导值越大,说明栅极对沟道的控制能力越强。

  其定义为gm=dlDs/dVgo在源、漏电压一定的情况下,测试源、漏电流lDs与栅、源电压VGs之间的变化曲线,并对曲线进行求导,即可得到跨导值。其中,跨导值Z大的地方称为gm,max。

武汉普赛斯一直专注于功率器件、射频器件以及第三代半导体领域电性能测试仪表与系统开发,基于核心算法和系统集成等技术平台优势,率先自主研发了高精度数字源表、脉冲式源表、脉冲大电流源、高速数据采集卡、脉冲恒压源等仪表产品以及整套测试系统。产品广泛应用在功率半导体材料与器件、射频器件、宽禁带半导体的分析测试领域。可根据用户的需求,提供高性能、高效率、高性价比的电性能测试综合解决方案。

快采购网供应商武汉普赛斯仪表有限公司供应利用数字源表测试GaN HEMT直流参数,为您提供详细的产品报价、参数、图片等商品信息,本产品在2024-11-22 09:24更新,主要更新内容为:产品类别,联系方式,产品参数,产品价格,产品图片信息。如需进一步了解利用数字源表测试GaN HEMT直流参数,请与厂家直接联系,请在联系时说明是在快采购网网看到这条商机的。
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